工程建設項目招標計劃表項目名稱天津泰達山河科技有限公司超表面晶圓級光學芯片關鍵技術研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項目項目法人或招標人名稱(蓋章)天津泰達山河科技有限公司投資主管部門審批、核準或備案的文件名稱天津經(jīng)濟技術開發(fā)區(qū)(南港工業(yè)區(qū))行政審批局關于天津泰達山河科技有限公司 超表面晶圓級光學芯片關鍵技術研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項目備案的證明主要建設內(nèi)容在新購置土地上建設超表面晶圓級光學芯片關鍵技術研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項目并分兩期建設，其中一期占地面積約為 .平方米，建筑面積約為.平方米，廠區(qū)建設包含制造廠房、中央動力廠房等，新建一條超表面晶圓級光學芯片寸量產(chǎn)線，主要包含深紫外光刻機、紫外光刻機、干法刻蝕機、物理及化學氣相沉積等設備，主要生產(chǎn)工藝為以寸玻璃晶圓生產(chǎn)原料，通過薄膜沉積、光刻、刻蝕、平坦化等工藝生產(chǎn)流程,制作寸超表面玻璃晶圓產(chǎn)品，該產(chǎn)品集成電子束光電器件、光無源器件等技術，項目規(guī)劃產(chǎn)能約 晶圓片/年。項目二期占地面積為.平方米，建筑面積為平方米，新建一棟甲類庫,用于存放雙氧水、氫氧化銨、鹽酸等物品使用。(不含國家及天津市限制類、淘汰類、禁止投資的項目、工藝及設備;不含核準類項目;不含國家明令淘汰的設備)招標項目序號標段(包) 名稱資金來源招標內(nèi)容招標方式招標文件計劃發(fā)布時間擬交易場所合同預估金額(萬元)備注天津泰達山河科技有限公司超表面晶圓級光學芯片關鍵技術研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項目工程總承包銀行貸款工程總承包公開招標--天津經(jīng)濟技術開發(fā)區(qū)建設工程管理中心備注變更原因：占地面積和建筑面積調(diào)整。變更說明：此計劃為變更招標計劃，原計劃于年月日發(fā)布，因占地面積和建筑面積調(diào)整，需要重新發(fā)布招標計劃。 本計劃表所招標項目均為暫定，最終以實際招標時的信息為準。